參數(shù)資料
型號(hào)： MT29F4G08FABWGXXXXET
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48
封裝： TSOP1-48
文件頁(yè)數(shù)： 51/57頁(yè)
文件大小： 730K
代理商： MT29F4G08FABWGXXXXET
09005aef818a56a7 pdf/ 09005aef81590bdd source
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. C 5/05 EN
55
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, and 8Gb x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Timing Diagrams
Figure 52:
BLOCK ERASE Operation
Notes: 1. See Table 8 on page 27 for actual values.
Figure 53:
RESET Operation
WE#
CE#
ALE
CLE
RE#
R/B#
I/Ox
ERASE SETUP
Command
ERASE
Command
READ STATUS
Command
Busy
Row Address
60h
ROW
ADD 1
ROW
ADD 2
ROW
ADD 3
70h
STATUS
D0h
tWC
tBERS
tWB
DON‘T CARE
CLE
CE#
WE#
R/B#
I/Ox
tRST
tWB
FF
RESET
Command
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT2LSYT3272T1G-11P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160
MT2LSYT3272T1G-12P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160
MT333X GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK
MT36JBZS51272PIY-1G3XX DDR DRAM MODULE, DMA240
MT41J128M16HA-107:D 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G16ABADAH4 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features
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