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參數(shù)資料
| 型號： | MT29F4G08FABWGXXXXET |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48 |
| 封裝： | TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 11/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 730K |
| 代理商： | MT29F4G08FABWGXXXXET |
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09005aef818a56a7 pdf/ 09005aef81590bdd source
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. C 5/05 EN
19
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, and 8Gb x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Bus Operation
Figure 13:
IOL vs. Rp
Figure 14:
TC vs. Rp
3.50mA
3.00mA
2.50mA
2.00mA
1.50mA
1.00mA
0.50mA
0.00mA
0
2000
4000
6000
8000
12000
IOL@3.60V (max)
Rp
I
1.20s
1.00s
800ns
600ns
400ns
200ns
0ns
0
2k
4k
6k
8k
10k
12k
IOL@3.60V (max)
RC = TC
C = 100pF
Rp
T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT2LSYT3272T1G-11P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160 |
| MT2LSYT3272T1G-12P | 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160 |
| MT333X | GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK |
| MT36JBZS51272PIY-1G3XX | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| MT41J128M16HA-107:D | 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT29F4G16ABADAH4 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features |
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