參數(shù)資料
型號： MT29F4G08FABWGXXXXET
元件分類： PROM
英文描述： 512M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDSO48
封裝： TSOP1-48
文件頁數(shù)： 29/57頁
文件大?。?/td> 730K
代理商： MT29F4G08FABWGXXXXET
09005aef818a56a7 pdf/ 09005aef81590bdd source
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2gb_nand_m29b__2.fm - Rev. C 5/05 EN
35
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
2, 4, and 8Gb x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Command Definitions
WRITE PROTECT Operation
The WRITE PROTECT feature protects the device against inadvertent PROGRAM and
ERASE operations. All PROGRAM and ERASE operations are disabled when WP# is LOW.
For WRITE PROTECT timing details, see Figures 29 through 32.
Figure 29:
ERASE Enable
Figure 30:
ERASE Disable
Figure 31:
PROGRAM Enable
tWW
60h
D0h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
tWW
60h
D0h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
tWW
80h
10h
WE#
I/Ox
WP#
R/B#
相關PDF資料
PDF描述
MT2LSYT3272T1G-11P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 11 ns, DMA160
MT2LSYT3272T1G-12P 32K X 72 CACHE SRAM MODULE, 12 ns, DMA160
MT333X GENERAL PURPOSE AUDIO CONNECTOR, JACK
MT36JBZS51272PIY-1G3XX DDR DRAM MODULE, DMA240
MT41J128M16HA-107:D 128M X 16 DDR DRAM, PBGA96
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MT29F4G16ABADAH4 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory Features
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