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參數資料
| 型號： | MSM5416263 |
| 廠商： | OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
| 英文描述： | 262,144-Word ×16-Bit Multiport DRAM(256k字×16位多端口動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 262,144字× 16位多端口內存（256k字× 16位多端口動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數： | 20/40頁 |
| 文件大小： | 389K |
| 代理商： | MSM5416263 |
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Semiconductor
MSM5416263
20/40
CAS
before
RAS
Refresh Cycle
RAS
CAS
Address
t
RC
t
RAS
t
RP
t
CSR
A
t
RAH
t
ASR
"H" or "L"
DSF
WEL
DQ0 - 7
TRG
t
RPC
t
RP
t
RPC
t
CHR
Inhibit Falling Transition
B
t
RFH
t
FSR
C
t
RWH
t
WSR
t
OFF
Open
WEU
DQ8 - 15
C
t
RWH
t
WSR
Open
CBR Cycle Function Table
Code
CBRR
CBRS
CBRN
RAS
Falling Edge
A
X
STOP Address
X
B
0
1
1
C
1
0
1
Function
CBR Refresh (Reset All Options)
CBR Refresh (Set STOP Address)
CBR Refresh (No Reset Options)
Note:
The type of CBR operations are determined by the logic states of "A", "B" and "C".
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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