參數(shù)資料
型號: MMDF1N05E
廠商: ON SEMICONDUCTOR
英文描述: Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel(1A,50V,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述: 功率MOSFET 1安培,50伏特N溝道(第1A的50V,?溝道增強(qiáng)型功率馬鞍山場效應(yīng)管)
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代理商: MMDF1N05E
MMDF1N05E
http://onsemi.com
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDF2C02E Dual Power MOSFET 2.5 Amps, 25 Volts(2.5A,25V,雙功率MOS場效應(yīng)管(N溝道+P溝道))
MMDF2C03HD Power MOSFET 2 Amps, 30 Volts Complementary SO8, Dual(2A,30V,SO-8,N/P溝道功率雙MOSFET)
MMDF2N02E Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N Channel SO8, Dual(2A,25V,SO-8,N溝道功率雙MOSFET)
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MMDF3N04HD Power MOSFET 3 Amps, 40 Volts N Channel SO8, Dual(3A,40V,SO-8,N溝道功率雙MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMDF1N05ER2 功能描述:MOSFET 50V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF1N05ER2G 功能描述:MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF1N05ER2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
MMDF2C01HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS
MMDF2C02E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.5 AMPERES 25 VOLTS