參數(shù)資料
型號(hào)： MMDF1N05E
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel(1A，50V，N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 功率MOSFET 1安培，50伏特N溝道（第1A的50V，?溝道增強(qiáng)型功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： MMDF1N05E
MMDF1N05E
http://onsemi.com
3
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.1
0
0
7
0
2
4
6
10
8
6
4
2
I
10
8
6
4
2
00
2
4
6
8
10
VDS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On–Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
Figure 3. On–Resistance versus Drain Current
Figure 4. On–Resistance Variation with Temperature
I
VGS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
R
0
2
4
6
8
ID, DRAIN CURRENT (AMPS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
-50
0
50
100
150
1.8
1.6
1.2
0.8
0.4
0
R
(
VGS = 10 V
0.2
0.3
0.4
0.5
100
°
C
25
°
C
-55
°
C
4 V
1
3
5
8
VGS = 10 V
ID = 1.5 A
TJ = 25
°
C
5 V
6 V
25
°
C
0.2
0.6
1
1.4
-25
25
75
125
8 V
4.5 V
10 V
-55
°
C
25
°
C
100
°
C
-55
°
C
VGS = 3.5 V
VDS
≥
10 V
100
°
C
Figure 5. On Resistance versus
Gate–To–Source Voltage
Figure 6. Gate Threshold Voltage Variation
with Temperature
150
125
100
75
50
25
0
-25
-50
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
V
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
VDS = VGS
ID = 1 mA
0.5
0.4
0.3
0.2
02
3
TJ, JUNCTION TEMPERATURE
ID = 1.5 A
VGS = 0
0.1
4
5
6
7
8
9
10
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMDF2C02E Dual Power MOSFET 2.5 Amps, 25 Volts(2.5A，25V，雙功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管（N溝道+P溝道）)
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參數(shù)描述
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MMDF1N05ER2G 功能描述:MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMDF1N05ER2G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
MMDF2C01HD 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 12 VOLTS
MMDF2C02E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:COMPLEMENTARY DUAL TMOS POWER FET 2.5 AMPERES 25 VOLTS
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