參數(shù)資料
型號: MMBTA20LT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 5/7頁
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代理商: MMBTA20LT1G
MMBTA20LT1
http://onsemi.com
5
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
Figure 13. TurnOn Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
300
Figure 14. TurnOff Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
5.0
10
20
30
50
1000
Figure 15. CurrentGain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 16. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Input Impedance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0
1.0
500
0.5
10
t,TIME
(ns)
t,TIME
(ns)
f,
CURRENTGAIN
BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
h
,OUTPUT
ADMITT
ANCE
(
mhos)
oe
m
h ie
,INPUT
IMPEDANCE
(k
)
Ω
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
7.0
70 100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
td @ VBE(off) = 0.5 Vdc
tr
10
20
30
50
70
100
200
300
500
700
2.0
5.0
10
20
30
50
3.0
1.0
7.0
70 100
VCC = 3.0 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
50
70
100
200
300
0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
TJ = 25°C
f = 100 MHz
VCE = 20 V
5.0 V
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0.05
TJ = 25°C
f = 1.0 MHz
Cib
Cob
2.0
5.0
10
20
50
1.0
0.2
100
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
0.1
0.2
0.5
MPS3904
hfe ≈ 200 @ IC = 1.0 mA
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25°C
2.0
5.0
10
20
50
1.0
2.0
100
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
0.1
0.2
0.5
VCE = 10 Vdc
f = 1.0 kHz
TA = 25°C
MPS3904
hfe ≈ 200 @ IC = 1.0 mA
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PDF描述
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA28-TP 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA28P 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBTA28 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MMBTA28 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 NPN:ROHS COMPLIANT
MMBTA28_Q 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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