參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA20LT1G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 0K
代理商： MMBTA20LT1G
MMBTA20LT1
http://onsemi.com
3
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 3. Noise Voltage
f, FREQUENCY (Hz)
5.0
7.0
10
20
3.0
Figure 4. Noise Current
f, FREQUENCY (Hz)
2.0
10
20
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS = 0
IC = 1.0 mA
100 mA
e n
,NOISE
VOL
TAGE
(nV)
I n
,NOISE
CURRENT
(pA)
30 mA
BANDWIDTH = 1.0 Hz
RS ≈∞
10 mA
300 mA
IC = 1.0 mA
300 mA
100 mA
30 mA
10 mA
10
20
50
100
200
500
1k
2k
5k
10k
NOISE FIGURE CONTOURS
(VCE = 5.0 Vdc, TA = 25°C)
Figure 5. Narrow Band, 100 Hz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
500k
Figure 6. Narrow Band, 1.0 kHz
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
2.0 dB
BANDWIDTH = 1.0 Hz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Figure 7. Wideband
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
10 Hz to 15.7 kHz
R
S
,SOURCE
RESIST
ANCE
(OHMS)
Noise Figure is defined as:
NF
+ 20 log10
en2 ) 4KTRS ) In
2RS2
4KTRS
1 2
= Noise Voltage of the Transistor referred to the input. (Figure 3)
= Noise Current of the Transistor referred to the input. (Figure 4)
= Boltzman’s Constant (1.38 x 1023 j/
°K)
= Temperature of the Source Resistance (
°K)
= Source Resistance (Ohms)
en
In
K
T
RS
3.0 dB 4.0 dB
6.0 dB
10 dB
50
100
200
500
1k
10k
5k
20k
50k
100k
200k
2k
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1k
10
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1k
500k
100
200
500
1k
10k
5k
20k
50k
100k
200k
2k
1M
500k
50
100
200
500
1k
10k
5k
20k
50k
100k
200k
2k
20
30
50 70 100
200 300
500 700 1k
BANDWIDTH = 1.0 Hz
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
1.0 dB
2.0 dB
3.0 dB
5.0 dB
8.0 dB
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PDF描述
MMBTA20LT3 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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MMBTA28 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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