參數(shù)資料
型號: MMBTA20LT1G
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/7頁
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代理商: MMBTA20LT1G
MMBTA20LT1
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector Emitter Breakdown Voltage
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
V(BR)CEO
40
Vdc
Emitter Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
4.0
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = 30 Vdc, IE = 0)
ICBO
100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc)
hFE
40
400
Collector Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)
VCE(sat)
0.25
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth Product
(IC = 5.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)
fT
125
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cobo
4.0
pF
Figure 1. TurnOn Time
Figure 2. TurnOff Time
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
CS < 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0.5 V
<1.0 ns
10 < t1 < 500 ms
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
0
9.1 V
< 1.0 ns
t1
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PDF描述
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