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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBTA20LT1G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MMBTA20LT1G |
MMBTA20LT1
http://onsemi.com
4
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.004
h
,DC
CURRENT
GAIN
FE
TJ = 125°C
55 °C
25°C
VCE = 1.0 V
VCE = 10 V
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1.4
Figure 10. Collector Characteristics
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
2.0
5.0
10
20
50
1.6
100
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
*qVC for VCE(sat)
qVB for VBE
0.1
0.2
0.5
MPS390
4
Figure 11. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
0.4
0.6
0.8
1.0
0.2
0
V CE
,COLLECT
OREMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.002
MPS3904
TJ = 25°C
IC = 1.0 mA
10 mA
100 mA
Figure 12. Temperature Coefficients
50 mA
VCE, COLLECTOREMITTER VOLTAGE (VOLTS)
40
60
80
100
20
0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
PULSE WIDTH = 300 ms
DUTY CYCLE ≤ 2.0%
IB = 500 mA
400 mA
300 mA
200 mA
100 mA
*APPLIES for IC/IB ≤ hFE/2
25°C to 125°C
55°C to 25°C
25°C to 125°C
55°C to 25°C
40
60
0.006 0.01
0.02 0.03 0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
5.0
10
15
20
25
30
35
40
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.4
0.8
0
1.6
0.8
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100
0.1
0.2
0.5
200
100
80
V,
TEMPERATURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBTA20LT3 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBTA28-TP | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA28P | 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA28 | 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBTA42-13 | 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBTA28 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA28 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SSOT-3 NPN:ROHS COMPLIANT |
| MMBTA28_Q | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA28-7 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 80V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MMBTA28-7-F | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 80V 300mW RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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