參數(shù)資料
型號(hào)： MMBTA28
廠商： MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 80 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 0K
代理商： MMBTA28
MMBTA28
NPN Surface Mount
Darlington Transistor
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
Features
Ideal for Medium Power Amplification and Switching
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.110
.118
2.80
3.00
B
.090
.098
2.30
2.50
C
.047
.055
1.20
1.40
D
.035
.041
.89
1.03
E
.070
.081
1.78
2.05
F
.018
.024
.45
.60
G
.0005
.0039
.013
.100
H
.035
.043
.90
1.10
J
.003
.007
.085
.180
K
.015
.020
.37
.51
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(IC=1.0mAdc, IB=0)
80.0
Vdc
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(IC=100
Adc, I
E=0)
80.0
Vdc
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(IE=100
Adc, I
C=0)
12.0
Vdc
ICBO
Collector Cutoff Current
(VCB=60Vdc, IE=0)
100
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
(VEB=10Vdc, IC=0)
100
nA
ON CHARACTERISTICS
hFE
DC Current Gain*
(IC=10mAdc, VCE=5Vdc)
(IC=100mAdc, VCE=5Vdc)
10,000
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(IC=100mAdc, IB=100uAdc)
1.5
Vdc
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(IC=100mAdc,VCE=5.0v)
2.0
Vdc
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
fT
Current Gain-Bandwidth Product
(IC=10mAdc, VCE=5.0Vdc, f=100MHz)
125
MHz
Ccb
Collector-Emitter Capacitance
(VCB=10Vdec, IE=0, f=1.0MHz)
8.0
pF
.079
2.000
inches
mm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
A
B
C
D
E
F
G
H
J
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR–5 Board,
TA = 25°C
PD
300
mW
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
Revision: 2
2006/05/13
omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
High Current Gain
k
TM
Micro Commercial Components
E
B
C
Εpitaxial Planar Die Construction
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability
Classification Rating 94V-0
www.mccsemi.com
1 of 4
Marking: 3SS
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