參數(shù)資料
型號(hào)： MJD112-001G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大小： 101K
代理商： MJD112-001G
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP)
http://onsemi.com
8
PACKAGE DIMENSIONS
DPAK
CASE 369C
ISSUE O
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
M
0.13 (0.005)
T
E
C
U
J
H
T SEATING
PLANE
Z
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.235
0.245
5.97
6.22
B
0.250
0.265
6.35
6.73
C
0.086
0.094
2.19
2.38
D
0.027
0.035
0.69
0.88
E
0.018
0.023
0.46
0.58
F
0.037
0.045
0.94
1.14
G
0.180 BSC
4.58 BSC
H
0.034
0.040
0.87
1.01
J
0.018
0.023
0.46
0.58
K
0.102
0.114
2.60
2.89
L
0.090 BSC
2.29 BSC
R
0.180
0.215
4.57
5.45
S
0.025
0.040
0.63
1.01
U
0.020
0.51
V
0.035
0.050
0.89
1.27
Z
0.155
3.93
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
12
3
4
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112-BP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD112-I 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-T1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-TP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD1121 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS
MJD112-1G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD112L 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
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