參數(shù)資料
型號： MJD112-001G
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： MJD112-001G
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP)
http://onsemi.com
7
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Package
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MJD112
DPAK
369C
75 Units / Rail
MJD112G
DPAK
(PbFree)
MJD112001
DPAK3
369D
MJD112001G
DPAK3
(PbFree)
MJD112RL
DPAK
369C
1800 Tape & Reel
MJD112RLG
DPAK
(PbFree)
MJD112T4
DPAK
2500 Tape & Reel
MJD112T4G
DPAK
(PbFree)
MJD117
DPAK
75 Units / Rail
MJD117G
DPAK
(PbFree)
MJD117001
DPAK3
369D
MJD117001G
DPAK3
(PbFree)
MJD117T4
DPAK
369C
2500 Tape & Reel
MJD117T4G
DPAK
(PbFree)
For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112-BP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD112-I 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-T1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-TP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD112-1G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112G 功能描述:達林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD112G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJD112L 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)
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