參數(shù)資料
型號(hào)： MJD112-001G
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： MJD112-001G
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP)
http://onsemi.com
3
0.04
0.2
4
0.1
0.06
0.6
1
4
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCC = 30 V
IC/IB = 250
t,TIME
(s)μ
2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
ts
tf
Figure 1. Switching Times Test Circuit
Figure 2. Switching Times
V2
APPROX
+8 V
0
≈ 8 k
SCOPE
VCC
30 V
RC
51
FOR td AND tr, D1 IS DISCONNECTED
AND V2 = 0
FOR NPN TEST CIRCUIT REVERSE ALL POLARITIES.
25
ms
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1%
+ 4 V
tr
td @ VBE(off) = 0 V
PNP
NPN
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
V1
APPROX
12 V
TUT
RB
D1
≈ 60
0.4
2
IB1 = IB2
TJ = 25°C
Figure 3. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1
0.01
1000
0.3
0.2
0.07
r(t)
,EFFECTIVE
TRANSIENT
RqJC(t) = r(t) RqJC
RqJC = 6.25°C/W
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) TC = P(pk) qJC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
0.01
THERMAL
RESIST
ANCE
(NORMALIZED)
0.7
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1
2
3
5
10
20
30
50
100
200 300
500
0.2
SINGLE PULSE
D = 0.5
0.05
0.1
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD112-BP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MJD112-I 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-T1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-1 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD112-TP 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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MJD112G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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