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參數(shù)資料
| 型號： | MJD112-001G |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/9頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MJD112-001G |
MJD112 (NPN) MJD117 (PNP)
http://onsemi.com
5
V
CE
,COLLECT
OREMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
V
CE
,COLLECT
OREMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
NPN MJD112
PNP MJD117
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
VCE = 3 V
TJ = 125°C
3 k
0.1
0.6
25
°C
55
°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
2
4
0.04
300
0.06
0.2
2 k
800
4 k
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
3 k
0.1
0.6
25
°C
55
°C
1 k
0.4
1
6 k
400
600
24
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
IC =
0.5 A
1 A
1
3
1
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
2.2
1.8
0.6
0.2
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VCE(sat) @ IC/IB = 250
0.06
0.2
2
0.1
0.6
0.4
1
4
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
25
1
3
1
20
50
100
VBE @ VCE = 3 V
TC = 125°C
VCE = 3 V
4 A
TJ = 125°C
2 A
TJ = 125°C
IC =
0.5 A
1 A
4 A
2 A
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD112-BP | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MJD112-I | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112-T1 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112-1 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112-TP | 2000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJD1121 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
| MJD112-1G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD112G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJD112G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJD112L | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) |
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