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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV008T-X |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 8M (1M ×8) Flash Memory(CMOS 8M (1M ×8)位3V單電源 閃速存儲器) |
| 中文描述： | 800萬的CMOS（100萬× 8）快閃記憶體（800萬的CMOS（100萬× 8）位3V的單電源閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 26/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | MBM29LV008T-X |
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26
MBM29LV008T-X/MBM29LV008B-X
Write/Erase/Program Operations
Alternate WE Controlled Writes
(Continued)
Parameter Symbols
Description
-12
-15
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
120
150
ns
t
AVWL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
WLAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
65
ns
t
DVWH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
65
ns
t
WHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes: C
L
= 100 pF including jig capacitance
Figure 4 Test Conditions
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV008BA | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008BA-90PTR | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12 | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12PTN | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12PTR | 8M (1M X 8) BIT |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV016B | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-80 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
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