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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV008T-X |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 8M (1M ×8) Flash Memory(CMOS 8M (1M ×8)位3V單電源 閃速存儲器) |
| 中文描述： | 800萬的CMOS（100萬× 8）快閃記憶體（800萬的CMOS（100萬× 8）位3V的單電源閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 25/47頁 |
| 文件大?。?/td> | 434K |
| 代理商： | MBM29LV008T-X |
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25
MBM29LV008T-X/MBM29LV008B-X
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Note:
Test Conditions: Output Load:1 TTL gate and 100 pF
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter Symbols
Description
Test Setup
-12
(Note)
-15
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
120
150
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
120
150
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
120
150
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
50
55
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
Max.
30
40
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
Max.
30
40
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
—
Min.
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV008BA | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008BA-90PTR | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12 | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12PTN | 8M (1M X 8) BIT |
| MBM29LV008TA-12PTR | 8M (1M X 8) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV016B | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12PTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-12PTR | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
| MBM29LV016B-80 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M x 8) BIT |
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