參數(shù)資料
型號: MB8118160A-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 1M×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M×16 位快速頁面存取模式動態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動態(tài)RAM的CMOS(100萬× 16位快速頁面存取模式動態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 15/26頁
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代理商: MB8118160A-70
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MB8118160A-60/MB8118160A-70
Fig. 8 – READ-MODIFY-WRITE CYCLE
“H” or “L”
DESCRIPTION
The read-modify-write cycle is executed by changing WE from High to Low after the data appears on the DQ pins. In the read-
modify-write cycle, OE must be changed from Low to High after the memory access time.
VALID
ROW
ADD
t
RP
t
RWC
t
RAS
t
AR
t
CRP
t
RCD
t
RAD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
COL
ADD
VALID
DATA IN
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RWD
t
CWL
t
RWL
t
AWD
t
CWD
t
RCS
t
DZC
t
RAC
t
DS
t
WP
t
DH
t
OEH
t
OED
t
CAC
t
AA
t
ON
t
OEA
t
ON
t
DZO
t
OH
t
OEZ
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
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