參數(shù)資料
型號(hào): MB8118160A-70
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: CMOS 1M×16 BIT Fast Page Mode Dynamic RAM(CMOS 1M×16 位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 的CMOS 100萬× 16位快速頁面模式動(dòng)態(tài)RAM的CMOS(100萬× 16位快速頁面存取模式動(dòng)態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 14/26頁
文件大小: 494K
代理商: MB8118160A-70
14
MB8118160A-60/MB8118160A-70
“H” or “L”
Invalid Data
DESCRIPTION
In the delayed write cycle, t
WCS
is not satisfied; thus, the data on the DQ pins is latched with the falling edge of WE and written
into memory. The Output Enable (OE) signal must be changed from Low to High before WE goes Low (t
OED
+ t
T
+ t
DS
).
Fig. 7 – DELAYED WRITE CYCLE
ROW
ADD
t
RC
t
RAS
COL
ADD
HIGH-Z
HIGH-Z
HIGH-Z
t
CRP
t
AR
t
RP
t
CSH
t
CAS
t
RSH
t
RCD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCS
t
WCH
t
CWL
t
RWL
t
WP
t
DS
t
DH
t
DZC
t
OED
t
ON
t
DZO
t
ON
t
OEZ
t
OEH
VALID
DATA IN
RAS
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
LCAS
or
UCAS
WE
DQ
(Input)
A
0
to A
9
V
OH
V
OL
DQ
(Output)
V
IH
V
IL
OE
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