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參數(shù)資料
| 型號： | M5M4V16169DRT-7 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| 中文描述： | 16MCDRAM：16米（100萬字由16位）與16K的緩存內存（1024字由16位）的SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 20/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 737K |
| 代理商： | M5M4V16169DRT-7 |
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M5M4V16169DTP/RT-7,-8,-10,-15
16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM
MITSUBISHI LSIs
(REV 1.0) Jul. 1998
MITSUBISHI ELECTRIC
Load Byte Mask
Byte mask allocation during DWT3 and DWT4
Column Block
(16 byte)
Upper
Lower
0
Byte Mask Register
DQ0 DQ1
DQ2 DQ3 DQ4 DQ5 DQ6 DQ7 DQ8 DQ9 DQ10DQ11DQ12DQ13DQ14DQ15
Lower DQs
Upper DQs
0 : mask, no write
1 : unmask, write enable
20
Block
address
1
2
3
4
5
6
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5M4V16169DRT-8 | 22182053 |
| M5M4V16G50DFP-10 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-12 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V16G50DFP-8 | 16M (2-BANK x 262144-WORD x 32-BIT) Synchronous Graphics RAM |
| M5M4V64S20ATP-10 | 64M (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT) Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M5M4V16169DRT-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-10 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-15 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
| M5M4V16169DTP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16MCDRAM:16M(1M-WORD BY 16-BIT) CACHED DRAM WITH 16K (1024-WORD BY 16-BIT) SRAM |
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