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參數(shù)資料
| 型號： | M25PX32-VMW6E |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 52/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | M25PX32-VMW6E |
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DC and AC parameters
M25PX32
52/63
10
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC Characteristic tables that
follow are derived from tests performed under the measurement conditions summarized in
the relevant tables. Designers should check that the operating conditions in their circuit
match the measurement conditions when relying on the quoted parameters.
Table 13.
Table 14.
1.
Output Hi-Z is defined as the point where data out is no longer driven.
Figure 29.
AC measurement I/O waveform
Table 15.
Operating conditions
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply voltage
2.7
3.6
V
V
PPH
Supply voltage on V
PP
pin for Fast Bulk Erase mode
8.5
9.5
V
T
A
Ambient operating temperature
–40
85
°C
T
AVPP
Ambient operating temperature for Fast Bulk Erase
mode
15
25
35
°C
AC measurement conditions
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
L
Load capacitance
30
pF
Input rise and fall times
5
ns
Input pulse voltages
0.2V
CC
to 0.8V
CC
V
Input timing reference voltages
0.3V
CC
to 0.7V
CC
V
Output timing reference voltages
V
CC
/ 2
V
Capacitance
(1)
1.
Sampled only, not 100% tested, at T
A
=25 °C and a frequency of 20 MHz.
Symbol
Parameter
Test condition
Min.
Max.
Unit
C
IN/OUT
Input/output capacitance (DQ0/DQ1)
V
OUT
= 0 V
8
pF
C
IN
Input capacitance (other pins)
V
IN
= 0 V
6
pF
AI07455
0.8VCC
0.2VCC
0.7VCC
0.5VCC
0.3VCC
Input and output
timing reference levels
Input levels
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMW6F | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PX32-VMF6E | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PX32-VMF6F | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M27128A | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
| M27128A-20F1 | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMW6EBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M25PX32-VMW6F | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25PX32-VMW6FBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M25PX32-VMW6Y | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays |
| M25PX32-VZM6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 24TBGA |
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