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參數(shù)資料
| 型號： | M25PX32-VMW6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 25/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 394K |
| 代理商： | M25PX32-VMW6E |
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M25PX32
Instructions
25/63
6.1
Write Enable (WREN)
The Write Enable (WREN) instruction (
Figure 8
) sets the Write Enable Latch (WEL) bit.
The Write Enable Latch (WEL) bit must be set prior to every Page Program (PP), Dual Input
Fast Program (DIFP), Program OTP (POTP), Write to Lock Register (WRLR), Subsector
Erase (SSE), Sector Erase (SE), Bulk Erase (BE) and Write Status Register (WRSR)
instruction.
The Write Enable (WREN) instruction is entered by driving Chip Select (S) Low, sending the
instruction code, and then driving Chip Select (S) High.
Figure 8.
Write Enable (WREN) instruction sequence
C
DQ0
AI13731
S
DQ1
2
1
3
4
5
6
7
High Impedance
0
Instruction
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMW6F | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PX32-VMF6E | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25PX32-VMF6F | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M27128A | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
| M27128A-20F1 | NMOS 128K 16K x 8 UV EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25PX32-VMW6EBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Trays |
| M25PX32-VMW6F | 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M25PX32-VMW6FBA | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:AUTOMOTIVE - Tape and Reel |
| M25PX32-VMW6Y | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays |
| M25PX32-VZM6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 75MHZ 24TBGA |
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