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參數(shù)資料
| 型號： | M12L16161A-7BG |
| 廠商： | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 1M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA60 |
| 封裝： | 6.40 X 10.10 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 27/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 714K |
| 代理商： | M12L16161A-7BG |
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ES MT
Mode Register Set Cycle
M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Publication Date
:
May. 2005
Revision
:
2.4
27/30
Auto Refresh Cycle
*Both banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
MODE REGISTER SET CYCLE
*Note: 1.CS ,RAS ,CAS &
WE
activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2.Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3.Please refer to Mode Register Set table.
C L O C K
C K E
A D D R
Key
:Don't Care
HIGH
CS
RAS
CAS
HIGH
*Note3
Ra
*Note1
DQ
H i - Z
DQ M
1 2 3 4 5 6 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
H i - Z
*Note2
t
R C
MR S
New Command
Auto Refresh
New Command
W E
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L16161A-7TG | 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L16161A-7BIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7T | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| M12L16161A-7TG2Q | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks |
| M12L16161A-7TIG | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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