參數(shù)資料
型號(hào)： KM418RD4AD
廠(chǎng)商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
中文描述： 128/144Mbit RDRAM的256 × 16/18位× 2 * 16屬銀行直接RDRAMTM
文件頁(yè)數(shù)： 64/64頁(yè)
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代理商： KM418RD4AD
Page 61
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
Direct RDRAM
Rev. 1.01 Oct. 1999
Table Of Contents
Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Key Timing Parameters/Part Numbers . . . . . . . . . . . 1
Pinouts and Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Pin Description. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Block Diagram . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
General Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Packet Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6-7
Field Encoding Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8-9
DQ Packet Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
COLM Packet to D Packet Mapping . . . . . . . . . .10-11
ROW-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . .12-13
ROW-to-COL Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 13
COL-to-COL Packet Interaction. . . . . . . . . . . . . . . . 14
COL-to-ROW Packet Interaction . . . . . . . . . . . . . . . 15
ROW-to-ROW Examples . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16-17
Row and Column Cycle Description . . . . . . . . . . . . 17
Precharge Mechanisms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .18-19
Read Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Write Transaction - Example . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Write/Retire - Examples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22-23
Interleaved Write - Example. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Interleaved Read - Example . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Interleaved RRWW . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .24-25
Control Register Transactions . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Control Register Packets . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Initialization . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .28-30
Control Register Summary. . . . . . . . . . . . . . . . . 30-37
Power State Management . . . . . . . . . . . . . . . . . 38-41
Refresh . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Current and Temperature Control . . . . . . . . . . . . . . 43
Electrical Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Timing Conditions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .44-45
Electrical Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Timing Characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
RSL Clocking . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
RSL - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
RSL - Transmit Timing. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
CMOS - Receive Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .50-51
CMOS - Transmit Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . .52-53
RSL - Domain Crossing Window . . . . . . . . . . . . . . . 53
Timing Parameters. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Absolute Maximum Ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
IDD - Supply Current Profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
Capacitance and Inductance . . . . . . . . . . . . . . . .56-57
Center-Bonded uBGA Package. . . . . . . . . . . . . . . . 58
Glossary of Terms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .59-60
Copyright October 1999 Samsung Electronics.
All rights reserved.
Direct Rambus and Direct RDRAM are trademarks of
Rambus Inc. Rambus, RDRAM, and the Rambus Logo are
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KM418RD4C 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD4D 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM416RD16AD CAP ELECT 47UF 100V TG SMD
KM416RD16C 15VPP 74DB 2 TERM CERAM BUZZER
KM416RD16D 15VPP 86DB 2 TERM CERAM BUZZER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KM418RD4C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD4D 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD8AC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD8AC(D)-RG60 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
KM418RD8AC(D)-RK70 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
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