參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271BTQ-8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
中文描述： 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL
文件頁(yè)數(shù)： 39/51頁(yè)
文件大小： 1033K
代理商： KM4132G271BTQ-8
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 39
Rev. 2.4 (May 1998)
Read without Auto
precharge(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don
′
t care
*Note:
1. When Read(Write) command with auto precharge is issued at A-Bank after A and B Bank activation.
- if Read(Write) command without auto precharge is issued at B-Bank before A Bank auto precharge starts, A Bank
auto precharge will start at B Bank read command input point .
- any command can not be issued at A Bank during tRP after A Bank auto precharge starts.
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Pre
charge
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
A9
A8
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Ra
Rb
Ca
Ra
Rb
Ra
Cb
Qb2
Qb3
Precharge
(B-Bank)
Ca
Ra
Da0
Da1
Da0
Da1
Qb2
Qb3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
DSF
*Note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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