參數(shù)資料
型號(hào)： KM4132G271BTQ-8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
中文描述： 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL
文件頁數(shù)： 35/51頁
文件大?。?/td> 1033K
代理商： KM4132G271BTQ-8
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 35
Rev. 2.4 (May 1998)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
*Note :
1. CS can be don
′
t care when RAS, CAS and WE are high at the clock high going edge.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
A
9
A
8
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb0
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
DSF
LOW
: Don
′
t care
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
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PDF描述
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