參數(shù)資料
型號： KM4132G271BTQ-8
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128K x 32bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM LVTTL
中文描述： 128K的x 32位× 2銀行同步圖形RAM的LVTTL
文件頁數(shù)： 38/51頁
文件大?。?/td> 1033K
代理商： KM4132G271BTQ-8
KM4132G271B
CMOS SGRAM
- 38
Rev. 2.4 (May 1998)
A
9
A
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Read & Write Cycle with Auto Precharge I @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
1.
t
RCD
should be controlled to meet minimum
t
RAS
before internal precharge start.
(In the case of Burst Length=1 & 2, BRSW mode and Block write)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQMi
RAa
RBb
CAa
RBb
CBb
DSF
*Note :
: Don
′
t care
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
RAa
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
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PDF描述
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