參數(shù)資料
型號： KFH1G16Q2M-DIB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 88/93頁
文件大小： 1219K
代理商： KFH1G16Q2M-DIB6
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
88
Performance
NOTES:
These parameters are tested based on INT bit of interrupt register. Because the time on INT pin is related to the pull-up and
pull-down resistor value. Please refer to page 73 and 74.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Sector Load time (Note 1)
t
RD1
-
40
45
μ
s
Page Load time (Note 1)
t
RD2
-
85
100
μ
s
Sector Program time (Note 1)
t
PGM1
-
320
720
μ
s
Page Program time (Note 1)
t
PGM2
-
350
750
μ
s
OTP Access time(Note 1)
t
OTP
-
600
1000
ns
Lock/Unlock/Lock-tight time (Note 1)
t
LOCK
-
600
1000
ns
Number of Partial Program Cycles in the sector
(Including main and spare area)
NOP
-
-
2
cycles
Block Erase time (Note 1)
1 Block
t
BERS1
-
2
3
ms
相關PDF資料
PDF描述
KFH1G16Q2M-DID FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU
KH102 Analog IC
STH5000-200 Industrial Control IC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KFH1G16Q2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*