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參數(shù)資料
| 型號： | KFH1G16Q2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁數(shù)： | 11/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DIB6 |
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OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
11
5. BLOCK DIAGRAM
BootRAM
H
CLK
CE
OE
WE
RP
AVD
StateMachine
Bootloader
Internal Registers
(Address/Command/Configuration
/Status Registers)
Error
Correction
Logic
INT
- Host Interface
- BufferRAM(BootRAM, DataRAM)
- Command and status registers
- State Machine (Bootloader is included)
- Error Correction Logic
- Memory(NAND Flash Array, OTP)
NOTE:
1) At cold reset, bootloader copies boot code(1K byte size) from NAND Flash Array to BootRAM.
DataRAM
BufferRAM
NAND Flash
Array
OTP
(One Block)
RDY
Figure 1. Internal Block Diagram
A15~A0
DQ15~DQ0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU |
| KH102 | Analog IC |
| STH5000-200 | Industrial Control IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
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