- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373131 > KFH1G16Q2M-DIB6 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) FLASH MEMORY(54MHz) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KFH1G16Q2M-DIB6 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY(54MHz) |
| 中文描述： | 閃存（54MHz之間） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 22/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1219K |
| 代理商： | KFH1G16Q2M-DIB6 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)當(dāng)前第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
22
Detailed information of Address Map (word order)
-0000h~01FFh: 2(sector) x 512byte(NAND main area) = 1KB
0000h~00FFh(512B)
BootM 0
(sector 0 of page 0)
0100h~01FFh(512B)
BootM 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Main area)
-0200h~09FFh: 8(sector) x 512byte(NAND main area) = 4KB
0200h~02FFh(512B)
DataM 0_0
(sector 0 of page 0)
0300h~03FFh(512B)
DataM 0_1
(sector 1 of page 0)
0400h~04FFh(512B)
DataM 0_2
(sector 2 of page 0)
0500h~05FFh(512B)
DataM 0_3
(sector 3 of page 0)
0600h~06FFh(512B)
DataM 1_0
(sector 0 of page 1)
0700h~07FFh(512B)
DataM 1_1
(sector 1 of page 1)
0800h~08FFh(512B)
DataM 1_2
(sector 2 of page 1)
0900h~09FFh(512B)
DataM 1_3
(sector 3 of page 1)
DataRAM(Main area)
-8000h~800Fh: 2(sector) x 16byte(NAND spare area) = 32B
8000h~8007h(16B)
BootS 0
(sector 0 of page 0)
8008h~800Fh(16B)
BootS 1
(sector 1 of page 0)
BootRAM(Spare area)
-8010h~804Fh: 8(sector) x 16byte(NAND spare area) = 128B
*NAND Flash array consists of 2KB page size and 128KB block size.
8010h~8017h(16B)
DataS 0_0
(sector 0 of page 0)
8018h~801Fh(16B)
DataS 0_1
(sector 1 of page 0)
8020h~8027h(16B)
DataS 0_2
(sector 2 of page 0)
8028h~802Fh(16B)
DataS 0_3
(sector 3 of page 0)
8030h~8037h(16B)
DataS 1_0
(sector 0 of page 1)
8038h~803Fh(16B)
DataS 1_1
(sector 1 of page 1)
8040h~8047h(16B)
DataS 1_2
(sector 2 of page 1)
8048h~804Fh(16B)
DataS 1_3
(sector 3 of page 1)
DataRAM(Spare area)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID | FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU |
| KH102 | Analog IC |
| STH5000-200 | Industrial Control IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KFH1G16Q2M-DID | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16Q2M-DID5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16Q2M-DID6 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
| KFH1G16U2M-DEB | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| KFH1G16U2M-DEB5 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz) |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。