參數(shù)資料
型號(hào)： KFH1G16Q2M-DIB6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY(54MHz)
中文描述： 閃存（54MHz之間）
文件頁數(shù)： 58/93頁
文件大?。?/td> 1219K
代理商： KFH1G16Q2M-DIB6
OneNAND512/OneNAND1GDDP
FLASH MEMORY
58
Figure 19. OTP load operation flow-chart
Note 1) FBA(NAND Flash Block Address) could be omitted or any address.
OTP Load(OTP Access+Load NAND)
OTP area is separated from NAND Flash Array, so it is accessed by OTP Access command instead of FBA. The content of OTP
could be loaded with the same sequence as normal load operation after being accessed by the command. If user wants to exit from
OTP access mode, Cold, Warm, Hot or NAND Flash Core Reset operation should be done.
* DBS, DFS is for DDP
Start
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write ’FPA, FSA’ of Flash
1)
Add: F107h DQ=FPA, FSA
OTP Load completed
Write ’Load’ Command
Add: F220h
DQ=0000h or 0013h
Wait for INT register
low to high transition
Add: F241h DQ[15]=INT
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0075h
Write ’BSA, BSC’ of DataRAM
Add: F200h DQ=BSA, BSC
OTP Exit
Host reads data from
DataRAM
Do Cold/Warm/Hot
/NAND Flash Core Reset
Write ’DFS*, FBA’ of Flash
1)
Add: F100h DQ=DFS*’, FBA
Select DataRAM for DDP
Add: F101h DQ=DBS
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write 0 to interrupt register
Add: F241h DQ=0000h
Write ’OTP Access’ Command
Add: F220h DQ=0065h
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PDF描述
KFH1G16Q2M-DID FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DID5 FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 CONN RCPT .100 100POS DL R/A AU
KH102 Analog IC
STH5000-200 Industrial Control IC
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參數(shù)描述
KFH1G16Q2M-DID 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16Q2M-DID5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16Q2M-DID6 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
KFH1G16U2M-DEB 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY
KFH1G16U2M-DEB5 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY(54MHz)
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