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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1G08Q0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/37頁(yè) |
| 文件大小： | 677K |
| 代理商： | K9F1G08Q0A |
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FLASH MEMORY
9
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS
(Recommended operating conditions otherwise noted.)
NOTE
: V
IL
can undershoot to -0.4V and V
IH
can overshoot to V
CC
+0.4V for durations of 20 ns or less.
Parameter
Symbol
Test Conditions
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
Unit
1.8V
3.3V
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Operating
Current
Page Read with Serial
Access
I
CC
1
tRC=50ns, CE=V
IL
I
OUT
=0mA
-
10
20
-
15
30
mA
Program
I
CC
2
-
-
10
20
-
15
30
Erase
I
CC
3
-
-
10
20
-
15
30
Stand-by Current(TTL)
I
SB
1
CE=V
IH
, WP=0V/V
CC
-
-
1
-
-
1
Stand-by Current(CMOS)
I
SB
2
CE=V
CC
-0.2,
WP=0V/V
CC
-
10
50
-
10
50
μ
A
Input Leakage Current
I
LI
V
IN
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
Output Leakage Current
I
LO
V
OUT
=0 to Vcc(max)
-
-
±
10
-
-
±
10
Input High Voltage
V
IH*
-
0.8xV
CC
-
V
CC
+0.3
0.8xVcc
-
V
CC
+0.3
V
Input Low Voltage, All inputs
V
IL*
-
-0.3
-
0.2xVcc
-0.3
-
0.2xVcc
Output High Voltage Level
V
OH
K9F1G08Q0A :I
OH
=-100
μ
A
K9F1G08U0A :I
OH
=-400
μ
A
Vcc
-0.1
-
-
2.4
-
-
Output Low Voltage Level
V
OL
K9F1G08Q0A :I
OL
=100uA
K9F1G08U0A :I
OL
=2.1mA
-
-
0.1
-
-
0.4
Output Low Current(R/B)
I
OL
(R/B)
K9F1G08Q0A :V
OL
=0.1V
K9F1G08U0A :V
OL
=0.4V
3
4
-
8
10
-
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0A | FLASH MEMORY |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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