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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1G08Q0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 677K |
| 代理商： | K9F1G08Q0A |
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FLASH MEMORY
23
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
m = 2112byte
Page Program Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
1 up to m Byte
Serial Input
Din
M
10h
SerialData
Input Command
Column Address
Row Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
≈
I/Ox
Co.l Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
ADL
NOTES :
tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0A | FLASH MEMORY |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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