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參數(shù)資料
| 型號： | K9F1G08Q0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 12/37頁 |
| 文件大小： | 677K |
| 代理商： | K9F1G08Q0A |
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FLASH MEMORY
12
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
AC Characteristics for Operation
NOTE
: 1. If reset command(FFh) is written at Ready state, the device goes into Busy for maximum 5us.
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
K9F1G08U0A
Data Transfer from Cell to Register
t
R
-
-
25
25
μ
s
ALE to RE Delay
t
AR
10
10
-
-
ns
CLE to RE Delay
t
CLR
10
10
-
-
ns
Ready to RE Low
t
RR
20
20
-
-
ns
RE Pulse Width
t
RP
25
15
-
-
ns
WE High to Busy
t
WB
-
-
100
100
ns
Read Cycle Time
t
RC
50
30
-
-
ns
RE Access Time
t
REA
-
-
30
18
ns
CE Access Time
t
CEA
-
-
45
23
ns
RE High to Output Hi-Z
t
RHZ
-
-
30
30
ns
CE High to Output Hi-Z
t
CHZ
-
-
20
20
ns
RE or CE High to Output hold
t
OH
15
15
-
-
ns
RE High Hold Time
t
REH
15
10
-
-
ns
Output Hi-Z to RE Low
t
IR
0
0
-
-
ns
WE High to RE Low
t
WHR
60
60
-
-
ns
Device Resetting Time
(Read/Program/Erase)
t
RST
-
-
5/10/500
(1)
5/10/500
(1)
μ
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0A | FLASH MEMORY |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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