參數(shù)資料
型號(hào)： K9F1G08Q0A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： FLASH MEMORY
中文描述： 閃存
文件頁(yè)數(shù)： 27/37頁(yè)
文件大?。?/td> 677K
代理商： K9F1G08Q0A
FLASH MEMORY
27
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1
Row Add2
≈
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9F1G08U0A FLASH MEMORY
K9F1G08Q0M-YIB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16Q0M-YCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08U0M-YCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G16U0M-YCB0 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K9F1G08Q0M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory
K9F1G08Q0M-PCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08Q0M-PIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08Q0M-YCB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
K9F1G08Q0M-YIB0 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata
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