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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9F1G08Q0A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 18/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 677K |
| 代理商： | K9F1G08Q0A |
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FLASH MEMORY
18
K9F1G08U0A
K9F1G08Q0A
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
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DS
t
DH
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CLS
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WP
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DS
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DH
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WH
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WC
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DH
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ALH
t
ALS
t
WH
t
ALH
t
DS
t
DH
t
WP
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
K9F1G08X0A
I/O 0 ~ I/O 7
~2112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
I/Ox
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9F1G08U0A | FLASH MEMORY |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16Q0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G16U0M-YCB0 | 1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F1G08Q0M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128M x 8 Bit / 64M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F1G08Q0M-PCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-PIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YCB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F1G08Q0M-YIB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata |
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