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參數(shù)資料
| 型號： | K8S5515ETC-SC1E0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 39/65頁 |
| 文件大小： | 1196K |
| 代理商： | K8S5515ETC-SC1E0 |
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K8S5615ETC
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.0
SWITCHING WAVEFORMS
Read While Write Operations
Figure 19: Read While Write Operation
NOTE :
Breakpoints in waveforms indicate that system may alternately read array data from the “non-busy bank” and checking the status of the program or erase operation in the “busy”
bank.
tWC
CE
OE
WE
A/DQ0:
AVD
A/DQ15
A16-A23
PA/BA
PD/30h
RA
555h
AAh
PA/BA
RA
RD
Last Cycle in
Program or
Block Erase
Command Sequence
Read status in same bank
and/or array data from other bank
tRC
tWC
tOE
tOEH
tWPH
tWP
tAA
tOEH
tDS
tDH
tSR/W
tAS
tAH
tGHWL
Command Sequences
Program or Erase
Begin another
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
| KA-99-24 | RF STRAIGHT ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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