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參數(shù)資料
| 型號： | K8S5515ETC-SC1E0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 21/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1196K |
| 代理商： | K8S5515ETC-SC1E0 |
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K8S5615ETC
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.0
15.0 DC CHARACTERISTICS
NOTE :
1) Maximum ICC specifications are tested with VCC = VCCmax.
2) ICC active while Internal Erase or Internal Program is in progress.
3) Device enters automatic sleep mode when addresses are stable for tAA + 60ns.
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Input Leakage Current
ILI
VIN=VSS to VCC, VCC=VCCmax
- 1.0
-
+ 1.0
μA
VPP Leakage Current
ILIP
VCC=VCCmax , VPP=VCCmax
- 1.0
-
+ 1.0
μA
VCC=VCCmax , VPP=9.5V
-
35
μA
Output Leakage Current
ILO
VOUT=VSS to VCC, VCC=VCCmax, OE=VIH
- 1.0
-
+ 1.0
μA
Active Burst Read Current
ICCB1
CE=VIL, OE=VIH (@133MHz)
-
35
55
mA
Active Asynchronous
Read Current
ICC1
CE=VIL, OE=VIH
10MHz
-
35
55
mA
Active Write Current 2)
ICC2
CE=VIL, OE=VIH, WE=VIL, VPP=VIH
-25
40
mA
Read While Write Current
ICC3
CE=VIL, OE=VIH
-45
70
mA
Accelerated Program Current
ICC4
CE=VIL, OE=VIH , VPP=9.5V
-
20
30
mA
Standby Current
ICC5
CE= RESET=VCC
± 0.2V
-
30
120
μA
Standby Current During Reset
ICC6
RESET = VSS
± 0.2V
-
30
120
μA
Automatic Sleep Mode 3)
ICC7
CE=VSS
± 0.2V, Other Pins=VIL or VIH
VIL = VSS
± 0.2V, VIH = VCC ± 0.2V
-
30
120
μA
Deep Power Down Mode
ICC8
-2
30
μA
Input Low Voltage
VIL
-0.5
-
0.4
V
Input High Voltage
VIH
VCC-0.4
-
VCC+0.4
V
Output Low Voltage
VOL
IOL = 100
μA , VCC=VCCmin
-
0.1
V
Output High Voltage
VOH
IOH = -100
μA , VCC=VCCmin
VCC-0.1
-
V
Voltage for Accelerated Program
VID
8.5
9.0
9.5
V
Low VCC Lock-out Voltage
VLKO
--
1.4
V
Vpp current in program/erase
Ivpp
Vpp = 9.5V
-
0.8
5
mA
Vpp = 1.95V
-
50
μA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
| KA-99-24 | RF STRAIGHT ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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