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參數(shù)資料
| 型號： | K8S5515ETC-SC1E0 |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 6.20 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 26/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 1196K |
| 代理商： | K8S5515ETC-SC1E0 |
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K8S5615ETC
datasheet NOR FLASH MEMORY
Rev. 1.0
SWITCHING WAVEFORMS
Figure 7: 8 word Linear Burst Mode with Wrap Around (133 MHz)
NOTE : In order to avoid a bus conflict the OE signal is enabled on the next rising edge after AVD is going high.
Figure 8: 8 word Linear Burst with RDY Set One Cycle Before Data (Wrap Around Mode, CR setting : A18=1)
NOTE : In order to avoid a bus conflict the OE signal is enabled on the next rising edge after AVD is going high.
tCES
tAVDS
tAVDH
tACS
tACH
tIAA
tBA
tBDH
Hi-Z
Aa
tRDYS
7.5ns typ(133MHz).
CE
CLK
AVD
OE
A/DQ0:
A/DQ15
RDY
A16-A23
13 cycles for initial access shown.
CR setting : A14=1, A13=0, A12=0, A11=1
D7
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D0
≈
Aa
1
2
3
4
11
12
13
tOER
tRDYA
tAVDO
tRDY
tAVDS
tCES
tAVDS
tAVDH
tACS
tACH
tIAA
tBA
tBDH
Hi-Z
Aa
tRDYS
7.5ns typ(133MHz).
CE
CLK
AVD
OE
A/DQ0:
A/DQ15
RDY
A16-A23
13 cycles for initial access shown.
CR setting : A14=1, A13=0, A12=0, A11=1
D7
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D0
≈
1
2
3
4
11
12
Aa
tOER
10
13
tRDYA
tAVDO
tRDY
tAVDS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9E2G08U0M-YIB00 | 256M X 8 FLASH 2.7V PROM, 30 ns, PDSO48 |
| KA-59-281 | TNC CONNECTOR, PLUG |
| KA-91-02 | RF STRAIGHT ADAPTER |
| KA-91-16 | RF TEE ADAPTER |
| KA-99-24 | RF STRAIGHT ADAPTER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K8S5615ETC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mb C-die NOR Flash |
| K8S6415EBB-DC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-DE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FC7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
| K8S6415EBB-FE7C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64M Bit (4M x16) Muxed Burst , Multi Bank NOR Flash Memory |
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