參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA20N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 112K
代理商： IXGA20N60B
4 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Pulse Width - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Z
t
0.001
0.01
0.1
1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
V
CE
- Volts
0
100
200
300
400
500
600
I
C
0.1
1
10
100
Q
g
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
V
G
0
3
6
9
12
15
R
G
- Ohms
0
10
20
30
40
50
60
E
(
0
2
4
6
8
E
(
0
1
2
3
4
I
C
- Amperes
0
10
20
30
40
50
E
(
0
1
2
3
4
5
6
E
(
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
CE
= 300V
I
C
= 10A
I
C
= 20A
E
(ON)
E
(OFF)
T
J
= -55 to +125°C
R
G
= 4.7
dV/dt < 5V/ns
D=0.5
D=0.02
D=0.01
Single pulse
D = Duty Cycle
R
G
= 10
T
J
= 125°C
40
E
(ON)
I
C
=40A
E
(OFF)
T
J
= 125°C
E
(ON)
I
C
= 20A
E
(ON)
E
(OFF)
E
(OFF)
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
Fig. 7. Dependence of E
ON
and E
OFF
on I
C
.
Fig. 8. Dependence of E
ON
and E
OFF
on R
G
.
Fig. 9. Gate Charge
Fig. 10. Turn-off Safe Operating Area
Fig. 11. IGBT Transient Thermal Resistance Junction-to-Case
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGP4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA24N120C3 功能描述:IGBT 模塊 40khz PT IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA24N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N60C3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
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