參數資料
型號： IXGA20N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數： 3/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IXGA20N60B
3 - 4
2000 IXYS All rights reserved
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
-Volts
0
5
10
15
20
25
30
35
40
C
10
100
1000
T
J
- Degrees C
25
50
75
100
125
150
V
C
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
20
40
60
80
100
V
GE
- Volts
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
20
40
60
80
100
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
I
C
0
40
80
120
160
200
13V
11V
9V
7V
V
CE
= 10V
V
GE
= 15V
13V
11V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 10A
I
C
= 20A
I
C
= 40A
T
J
=
125
°
C
f = 1Mhz
5V
5V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
7V
9V
5V
9V
V
GE
= 15V
13V
11V
C
iss
C
oss
C
rss
7V
4000
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
Fig. 1. Output Characteristics
Fig. 2. Extended Output Characteristics
Fig. 3. High Temperature Output Characteristics
Fig. 4. Temperature Dependence of V
CE(sat)
Fig. 5. Admittance Curves
Fig. 6. Capacitance Curves
相關PDF資料
PDF描述
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGP4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
相關代理商/技術參數
參數描述
IXGA24N120C3 功能描述:IGBT 模塊 40khz PT IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA24N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N60C3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
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