參數(shù)資料
型號(hào)： IXGP8N100
廠商： IXYS CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： IXGA8N100
中文描述： 16 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 102K
代理商： IXGP8N100
1 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IGBT
GCE
TO-220AB (IXGP)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
= 2.7 V
= 1000 V
=
16 A
IXGA 8N100
IXGP 8N100
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
G
E
TO-263 (IXGA)
C (TAB)
Symbol
(T
J
= 25 C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Typ.
Min.
Max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0 V
= 250 A, V
CE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5.0
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
25
A
A
250
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
CE90
, V
GE
= 15V
2.2
2.7
V
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25 C to 150 C
= 25 C to 150 C; R
GE
= 1 M
1000
1000
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
20
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25 C
= 90 C
= 25 C, 1 ms
16
8
32
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125 C, R
G
= 120
Clamped inductive load
I
CM
= 16
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25 C
54
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
C
C
C
150
-55 ... +150
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
C
M
d
Mounting torque with screw M3
Mounting torque with screw M3.5
0.45/4 Nm/lb.in.
0.55/5 Nm/lb.in.
Weight
TO-220
TO-263
4
2
g
g
98565B (7/00)
Features
International standard packages
JEDEC TO-220AB and TO-263AA
Low V
- for minimum on-state conduction
losses
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Capacitor discharge
Advantages
Easy to mount with one screw
Reduces assembly time and cost
High power density
Preliminary data sheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGB75N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
IXGH10N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP90N33TCM-A 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGQ100N100Y3 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
IXGQ100N50Y4 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 500V V(BR)CES | 100A I(C)
IXGQ100N60Y4 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C)
IXGQ120N30TCD1 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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