參數(shù)資料
型號： IXGB75N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 59K
代理商： IXGB75N60BD1
2001 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
BV
CES
I
C
= 1 mA, V
GE
= 0 V
600
V
V
GE(th)
I
C
= 500
μ
A, V
CE
= V
GE
2.5
5.5
V
I
CES
V
CE
= V
V
GE
= 0 V
650
5
μ
A
mA
T
J
= 125
°
C
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
Note1
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2.3
V
HiPerFAST
TM
IGBT with Diode
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
T
J
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
600
600
V
V
V
GES
V
GEM
Continuous
Transient
±
20
±
30
V
V
I
C25
I
C90
I
CM
T
C
T
C
T
C
= 25
°
C
= 90
°
C
= 25
°
C, 1 ms
120
75
300
A
A
A
SSOA
(RBSOA)
V
GE
= 15 V, T
VJ
= 125
°
C, R
G
= 5
I
CM
= 100
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
C
= 25
°
C
360
W
T
J
T
JM
T
stg
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Weight
10
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
G = Gate
E = Emitter
C = Collector
Tab = Collector
Features
High current handling capability in
holeless TO-264 package
High frequency IGBT and antparallel
FRED in one package
New generation HDMOS
TM
process
MOS Gate turn-on fordrive simplicity
Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
with soft recovery and low I
RM
Applications
AC motor speed control
DC servo and robot drives
DC choppers
Uninterruptible power supplies (UPS)
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
Space savings (two devices on one
package
Easy spring or clip mounting
GCE
PLUS 264
98850 (8/01)
V
CES
I
C25
V
CE(sat)
t
fi
= 600 V
= 120 A
= 2.3 V
= 150 ns
(TAB)
IXGB 75N60BD1
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION
相關PDF資料
PDF描述
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
IXGH10N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IXGC16N60B2D1 功能描述:IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGC16N60C2 功能描述:IGBT 晶體管 8 Amps 600V 3 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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