參數(shù)資料
型號： IXGB75N60BD1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT with Diode
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： PLUS264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 59K
代理商： IXGB75N60BD1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g
fs
I
Note1
= 60A; V
CE
= 10 V,
45
60
S
C
ies
C
oes
C
res
5300
730
190
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
248
40
76
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
62
57
220
150
ns
ns
ns
ns
400
270
E
off
3.3
6
mJ
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
63
70
5
330
270
ns
ns
mJ
ns
ns
E
off
6.0
mJ
R
thJC
R
thCK
0.35 K/W
0.19
K/W
Inductive load, T
J
= 25
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
, R
= R
= 5
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
= 0.8 V
, R
= R
= 5
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Reverse Diode (FRED)
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C unless otherwise specified)
min.
Symbol
Test Conditions
typ.
max.
V
F
I
= 60A, V
GE
= 0 V,
Note1
T
J
= 150°C
T
J
= 25°C
1.6
2.5
V
V
I
RM
I
F
= I
, V
GE
= 0 V, -di
F
/dt = 100 A/us
V
= 100 V
I
F
= 1 A; -di/dt = 200 A/ms; V
R
= 30 V
2
2.5
175
50
A
ns
ns
t
rr
35
R
thJC
0.65 K/W
IXGB 75N60BD1
PLUS 264 OUTLINE
Notes:
1.
Pulse test, t < 300
μ
s
,duty cycle < 2%
相關PDF資料
PDF描述
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
IXGH10N100U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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參數(shù)描述
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