參數(shù)資料
型號： IXGH10N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大小： 46K
代理商： IXGH10N100
1996 IXYS All rights reserved
TO-247 AD
G
CE
G = Gate,
E = Emitter,
C = Collector,
TAB = Collector
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V
CES
V
CGR
V
GES
V
GEM
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
(RBSOA)
T
J
= 25
°
C to 150
°
C
T
J
= 25
°
C to 150
°
C; R
GE
= 1 M
Continuous
Transient
1000
1000
V
V
±
20
±
30
V
V
T
C
= 25
°
C
T
C
= 90
°
C
T
C
= 25
°
C, 1 ms
V
= 15 V, T
= 125
°
C, R
= 150
Clamped inductive load, L = 300
μ
H
20
10
40
A
A
A
I
= 20
@ 0.8 V
CES
A
P
C
T
J
T
JM
T
stg
M
d
Weight
T
C
= 25
°
C
100
W
-55 ... +150
°
C
°
C
°
C
150
-55 ... +150
Mounting torque (M3)
1.13/10 Nm/lb.in.
6
g
Maximum lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
300
°
C
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
BV
CES
V
GE(th)
I
C
I
C
= 3 mA, V
GE
= 0 V
= 250
μ
A, V
CE
= V
GE
1000
2.5
V
V
5
I
CES
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
250
μ
A
mA
1
I
GES
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
±
100
nA
V
CE(sat)
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
10N100
10N100A
3.5
4.0
V
V
V
CES
1000 V
1000 V
I
C25
20 A
20 A
V
CE(sat)
3.5 V
4.0 V
Low V
CE(sat)
IGBT
High speed IGBT
IXGH
10
N100
IXGH
10
N100A
Features
l
International standard package
JEDEC TO-247 AD
l
2nd generation HDMOS
TM
process
l
Low V
- for low on-state conduction losses
l
High current handling capability
l
MOS Gate turn-on
- drive simplicity
l
Voltage rating guaranteed at high
temperature (125
°
C)
Applications
l
AC motor speed control
l
DC servo and robot drives
l
DC choppers
l
Uninterruptible power supplies (UPS)
l
Switch-mode and resonant-mode
power supplies
Advantages
l
Easy to mount with 1 screw
(isolated mounting screw hole)
l
High power density
93004D (3/96)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH10N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60U1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
IXGH10N60AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode Combi Packs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH10N100A 功能描述:MOSFET 10 Amps 1000V 4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXGH10N100AU1 功能描述:IGBT LOW VOLT 1000V 20A TO-247AD RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH10N100U1 功能描述:IGBT HI SPEED 1000V 20A TO-247AD RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXGH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N170A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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