型號(hào): | IXGH10N100U1 |
廠商: | IXYS CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
中文描述: | 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 121K |
代理商: | IXGH10N100U1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXGH10N100AU1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXGH10N170 | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH10N170A | 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH10N300 | 功能描述:IGBT 晶體管 Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IXGH10N50U1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247 |
IXGH10N60 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT |