參數(shù)資料
型號： IXGH10N100U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXGH10N100U1
1997 IXYS All rights reserved
IXGH 10N100U1
IXGH 10N100AU1
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
B
(
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
T
J
- Degrees C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
(
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
V
CE
- Volts
0
1
2
3
4
5
I
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
7V
9V
11V
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13 14
15
V
C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
- Volts
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
13V
11V
9V
7V
13V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
I
C
= 10A
I
C
= 20A
V
GE
= 15V
I
C
= 5A
I
C
= 10A
V
CE
= 10V
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= - 40°C
V
GE(th)
I
C
= 250μA
BV
CES
I
C
= 3mA
10N100p1.JNB
T
J
= 25°C
I
C
= 20A
Fig. 3 Collector-Emitter Voltage
vs. Gate-Emitter Voltage
Fig. 4 Temperature Dependence
of Output Saturation Voltage
Fig. 5 Input Admittance
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
Fig. 1 Saturation Characteristics
Fig. 2 Output Characterstics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH10N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N170A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N300 功能描述:IGBT 晶體管 Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N50U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247
IXGH10N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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