參數(shù)資料
型號： IXGH10N100U1
廠商： IXYS CORP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
中文描述： 20 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IXGH10N100U1
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXGH 10N100U1
IXGH 10N100AU1
I
C
- Amperes
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
t
f
-
600
650
700
750
800
850
900
E
o
1
2
3
4
5
6
7
R
G
- Ohms
20
40
60
80
100
120
140
160
E
o
0
1
2
3
4
5
t
f
0
200
400
600
800
1000
Time - Seconds
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
0.01
0.1
1
V
CE
- Volts
0
200
400
600
800
1000
I
C
0.01
0.1
1
10
T
J
= 125°C
R
G
= 150
dV/dt < 3V/ns
Q
g
- nCoulombs
0
10
20
30
40
50
V
G
-
0
3
6
9
12
15
tfi
Eoff
tfi
Eoff
D=0.1
D=0.2
Single Pulse
D = Duty Cycle
D=0.01
I
C
= 10A
I
C
= 10A
V
CE
= 800V
R
G
=150
TJ =125°C
T
J
=125°C
D=0.05
D=0.02
D=0.5
Fig.11 Transient Thermal Impedance
Fig.9 Gate Charge Characteristic Curve Fig.10 Turn-Off Safe Operating Area
Fig.7 Turn-Off Energy per Pulse and Fig.8 Dependence of Turn-Off Energy
Fall Time on Collector Current
Per Pulse and Fall Time on R
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGH10N100AU1 Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode
IXGH10N100 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N100A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60 Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
IXGH10N60A Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGH10N170 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 4 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N170A 功能描述:IGBT 晶體管 20 Amps 1700 V 7 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N300 功能描述:IGBT 晶體管 Very High Voltage NPT IGBT; 3000V VCES RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGH10N50U1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-247
IXGH10N60 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
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