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參數(shù)資料
| 型號： | IXGP8N100 |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | IXGA8N100 |
| 中文描述： | 16 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 102K |
| 代理商： | IXGP8N100 |
2 - 2
2000 IXYS All rights reserved
IXGA 8N100
IXGP 8N100
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
Symbol
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ.
Max.
g
fs
I
C
Pulse test, t
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
= I
C90
V
CE
= 10 V
4
7.6
S
I
C(on)
V
GE
= 10 V, V
CE
= 10V
40
A
C
ies
C
oes
C
res
595
34
10
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
Q
ge
Q
gc
22.5
4.8
8.5
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
E
off
15
30
ns
ns
ns
ns
mJ
600
390
2.3
1000
900
5.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
30
0.5
800
630
3.7
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
R
thJC
R
thCK
2.3
0.5
K/W
K/W
TO-220
Inductive load, T
= 25
°
C
I
C
= I
, V
= 15 V
V
= 800 V, R
= R
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 800 V, R
G
= R
off
= 120
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXGB75N60BD1 | HiPerFAST IGBT with Diode |
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| IXGH10N100AU1 | Low VCE(sat) IGBT with Diode, High speed IGBT with Diode |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IXGQ100N60Y4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
| IXGQ120N30TCD1 | 功能描述:IGBT 晶體管 120 Amps 300V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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