參數(shù)資料
型號(hào)： IXGA20N60B
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： HiPerFAST IGBT(VCES為600V，VCE(sat)為1.7V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管)
中文描述： 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IXGA20N60B
2 - 4
2000 IXYS All rights reserved
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25°C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
g
fs
I
Pulse test, t 300 s, duty cycle 2 %
= I
; V
= 10 V,
9
17
S
C
ies
C
oes
C
res
1500
175
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
40
Q
g
Q
ge
Q
gc
90
11
30
nC
nC
nC
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
35
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.15
150
100
0.7
200
150
1.0
t
d(on)
t
ri
E
on
t
d(off)
t
fi
E
off
15
35
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.15
220
140
1.2
R
thJC
R
thCK
0.83 K/W
(TO-220)
0.25
K/W
Inductive load, T
J
= 25°C
I
C
= I
, V
GE
= 15 V, L = 100 H,
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may increase
for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
, higher T
J
or
increased R
G
Inductive load, T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, L = 100 H
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
off
= 10
Remarks: Switching times may
increase for V
(Clamp) > 0.8 V
CES
,
higher T
J
or increased R
G
IXGA 20N60B
IXGP 20N60B
TO-263 AA (IXGA) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
4.06
2.03
0.51
1.14
0.46
1.14
8.64
7.11
9.65
6.86
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
0.46
Inches
Min.
.160
.080
.020
.045
.018
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.018
Max.
4.83
2.79
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.13
10.29
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.38
0.74
Max.
.190
.110
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.015
.029
A
A1
b
b2
c
c2
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
R
TO-220 AB (IXGP) Outline
Dim.
Millimeter
Min.
12.70
14.73
9.91
3.54
5.85
2.54
1.15
2.79
0.64
2.54
4.32
1.14
0.35
2.29
Inches
Min.
0.500
0.580
0.390
0.139
0.230
0.100
0.045
0.110
0.025
0.100
0.170
0.045
0.014
0.090
Max.
13.97
16.00
10.66
4.08
6.85
3.18
1.65
5.84
1.01
BSC
4.82
1.39
0.56
2.79
Max.
0.550
0.630
0.420
0.161
0.270
0.125
0.065
0.230
0.040
BSC
0.190
0.055
0.022
0.110
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
Q
R
Min. Recommended Footprint
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGP4N100 ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGA24N120C3 功能描述:IGBT 模塊 40khz PT IGBTs Power Device RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGA24N60A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 48A I(C) | TO-236AA
IXGA24N60C 功能描述:IGBT 晶體管 G-SERIES "B"MID-FREQ SINGLE IGBT 600V 48A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N120B3 功能描述:IGBT 晶體管 GenX3 1200V IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGA30N60C3 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:GenX3 600V IGBT
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